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| 品番 | IPW60R031CFD7XKSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 63A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 31 mOhm @ 32.6A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 1.63mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 141nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5623pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 278W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | 0 | 詳細 | |
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IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | - | 4432 | 詳細 |
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IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 | - | 381 | 詳細 |
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