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| 品番 | IPB034N06L3 G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 93µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 167W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 11000 | 詳細 |
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IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 34620 | 詳細 |
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IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 1000 | 詳細 | |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 0 | 詳細 |
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IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | - | 82090 | 詳細 |
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 2000 | 詳細 |
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IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 80568 | 詳細 |
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IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | 0 | 詳細 | |
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IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |