IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
IPA60R099P6XKSA1 P1
IPA60R099P6XKSA1 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPA60R099P6XKSA1

品番
IPA60R099P6XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPA60R099P6XKSA1.pdf IPA60R099P6XKSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 IPA60R099P6XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 37.9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 1.21mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 70nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3330pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 34W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 99 mOhm @ 14.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-FP
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack

関連製品

すべての製品