FF200R12KS4PHOSA1

MOD IGBT MED PWR 62MM-1
FF200R12KS4PHOSA1 P1
FF200R12KS4PHOSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ FF200R12KS4PHOSA1

品番
FF200R12KS4PHOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOD IGBT MED PWR 62MM-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FF200R12KS4PHOSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 FF200R12KS4PHOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 275A
電力 - 最大 1400W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3.7V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大) 5mA
入力容量(Cies)@ Vce 13nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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