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| 品番 | BTS113AE3064NKSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 40W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | P-TO220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BTS113AE3045ANTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | 0 | 詳細 | |
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BTS113AE3064NKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
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BTS113ANKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | 0 | 詳細 |