画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSZ0909NSATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 34V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1310pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | - | 5000 | 詳細 |
 |
BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | - | 138513 | 詳細 |
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 0 | 詳細 |
 |
BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 124184 | 詳細 |
 |
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 5000 | 詳細 |
 |
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 171492 | 詳細 |
 |
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | - | 148180 | 詳細 |
 |
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 878 | 詳細 |
 |
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 186736 | 詳細 |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | 5000 | 詳細 | |
 |
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | - | 0 | 詳細 |