BSP298 E6327

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
BSP298 E6327 P1
BSP298 E6327 P1
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Infineon Technologies ~ BSP298 E6327

品番
BSP298 E6327
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSP298 E6327.pdf BSP298 E6327 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BSP298 E6327
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 400V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 500mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 400pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA

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