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| 品番 | GB100XCP12-227 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | PT |
| 構成 | Single |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100A |
| 電力 - 最大 | - |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2V @ 15V, 100A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 8.55nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | 詳細 |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | 2978 | 詳細 | |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | 詳細 |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | 27 | 詳細 |