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| 品番 | FQU10N20CTU |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.8A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 26nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 50W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 360 mOhm @ 3.9A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | - | 0 | 詳細 |
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FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | 詳細 | |
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FQU10N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | 詳細 | |
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FQU13N06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A IPAK | - | 0 | 詳細 |
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