FDD6690A

MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6690A P1
FDD6690A P2
FDD6690A P1
FDD6690A P2
画像は参考用です。
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD6690A

品番
FDD6690A
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FDD6690A PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDD6690A
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Ta), 46A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1230pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 12 mOhm @ 12A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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