DMN66D0LDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
DMN66D0LDW-7 P1
DMN66D0LDW-7 P2
DMN66D0LDW-7 P3
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DMN66D0LDW-7 P5
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DMN66D0LDW-7 P5
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMN66D0LDW-7

品番
DMN66D0LDW-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN66D0LDW-7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMN66D0LDW-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 115mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 23pF @ 25V
電力 - 最大 250mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363

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