DMN65D8LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
DMN65D8LFB-7B P1
DMN65D8LFB-7B P1
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Diodes Incorporated ~ DMN65D8LFB-7B

品番
DMN65D8LFB-7B
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN65D8LFB-7B PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 DMN65D8LFB-7B
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 260mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 25pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 430mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ X1-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-UFDFN

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