DMN2005UFG-13

MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
DMN2005UFG-13 P1
DMN2005UFG-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2005UFG-13

品番
DMN2005UFG-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN2005UFG-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMN2005UFG-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18.1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 164nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6495pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.05W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN

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