DMN10H100SK3-13

MOSFET N-CH 100V 18A TO252
DMN10H100SK3-13 P1
DMN10H100SK3-13 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMN10H100SK3-13

品番
DMN10H100SK3-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 DMN10H100SK3-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1172pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 37W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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