DMG4N60SJ3

MOSFET NCH 600V 3A TO251
DMG4N60SJ3 P1
DMG4N60SJ3 P1
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Diodes Incorporated ~ DMG4N60SJ3

品番
DMG4N60SJ3
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET NCH 600V 3A TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMG4N60SJ3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 532pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 41W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

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