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BOM

BLF6G10LS-200RN:11

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLF6G10LS-200RN:11
BLF6G10LS-200RN:11 P1
BLF6G10LS-200RN:11 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G10LS-200RN:11

品番
BLF6G10LS-200RN:11
メーカー
Ampleon USA Inc.
説明
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BLF6G10LS-200RN:11.pdf BLF6G10LS-200RN:11 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
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品番 BLF6G10LS-200RN:11
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 871.5MHz ~ 891.5MHz
利得 20dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 49A
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1.4A
電力出力 40W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース SOT-502B
サプライヤデバイスパッケージ SOT502B

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