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BOM

ALD110908APAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ALD110908APAL
ALD110908APAL P1
ALD110908APAL P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD110908APAL

品番
ALD110908APAL
メーカー
Advanced Linear Devices Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
ALD110908APAL.pdf ALD110908APAL PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 ALD110908APAL
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 10.6V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 500 Ohm @ 4.8V
Vgs（th）（Max）@ Id 810mV @ 1µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2.5pF @ 5V
電力 - 最大 500mW
動作温度 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース 8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDIP

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