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| Número de pieza | SUD50N03-09P-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 63A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A DPAK | - | 0 | Detalles |
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SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V DPAK | - | 0 | Detalles |
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SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | 0 | Detalles | |
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SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 22V 49A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 78A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 4000 | Detalles |
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SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 84A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 2000 | Detalles |
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SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 0 | Detalles |
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SUD50N03-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A TO252 | - | 0 | Detalles |