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| Número de pieza | SQ7414AENW-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1590pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 62W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ7414AEN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 | - | 0 | Detalles |
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SQ7414AENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212 | - | 150575 | Detalles |