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| Número de pieza | SQ1563AEH-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 850mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 89pF @ 10V, 84pF @ 10V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SQ1563AEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6 | - | 379051 | Detalles |