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| Número de pieza | SM8S11ATHE3/I |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | Zener |
| Canales unidireccionales | 1 |
| Canales Bidireccionales | - |
| Voltaje - Separación inversa (Tipo) | 11V |
| Voltaje - avería (Min) | 12.2V |
| Voltaje: sujeción (máxima) @ Ipp | 18.2V |
| Corriente - Pulso máximo (10 / 1000μs) | 363A |
| Poder - Pulso máximo | 6600W (6.6kW) |
| Power Line Protection | No |
| Aplicaciones | Automotive |
| Capacitancia @ Frecuencia | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-218AC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-218AC |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SM8S10A-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Detalles | |
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SM8S10AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Detalles | |
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SM8S10AHE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Detalles | |
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SM8S10AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 17VC 388A DO218AB | - | 0 | Detalles |
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SM8S10ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC | - | 0 | Detalles |
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SM8S10HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Detalles |
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SM8S10HE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Detalles |
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SM8S11-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | 0 | Detalles | |
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SM8S11AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218AB | 0 | Detalles | |
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SM8S11AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 18.2VC 363A DO218AB | - | 0 | Detalles |
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SM8S11ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC | - | 0 | Detalles |
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SM8S11HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | - | 0 | Detalles |