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| Número de pieza | SISS42DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8S |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SISS40DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 | - | 3000 | Detalles |
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SISS42DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 | - | 83104 | Detalles |
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SISS46DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S | - | 83104 | Detalles |