SISH101DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212
SISH101DN-T1-GE3 P1
SISH101DN-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SISH101DN-T1-GE3

Número de pieza
SISH101DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SISH101DN-T1-GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SISH101DN-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 102nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / caja PowerPAK® 1212-8SH

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