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| Número de pieza | SIRA10DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2425pF @ 15V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | - | 193586 | Detalles |
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SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | - | 3000 | Detalles |
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SIRA12BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | - | 216866 | Detalles |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | - | 6000 | Detalles |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8 | - | 326363 | Detalles |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 | - | 3000 | Detalles |
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SIRA16DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8 | - | 3000 | Detalles |
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SIRA18ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO | - | 392328 | Detalles |
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SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 | - | 3000 | Detalles |
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SIRA18DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8 | - | 330142 | Detalles |