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| Número de pieza | SIHB12N60ET5-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 937pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 147W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIHB120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263 | - | 11355 | Detalles |
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SIHB12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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SIHB12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 | - | 33 | Detalles |
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SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 705 | Detalles |
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SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 28025 | Detalles |
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SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 28025 | Detalles |
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SIHB12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | - | 0 | Detalles |