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| Número de pieza | SIE822DF-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 10-PolarPAK® (S) |
| Paquete / caja | 10-PolarPAK® (S) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIE820DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK | - | 0 | Detalles |
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SIE820DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK | - | 0 | Detalles |
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SIE822DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK | - | 0 | Detalles |
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SIE822DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK | - | 0 | Detalles |