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| Número de pieza | SI8812DB-T2-E1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-Microfoot |
| Paquete / caja | 4-UFBGA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | - | 0 | Detalles |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 3000 | Detalles |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | Detalles |
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SI8819EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | - | 510346 | Detalles |