SI7972DP-T1-GE3

MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8
SI7972DP-T1-GE3 P1
SI7972DP-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7972DP-T1-GE3

Número de pieza
SI7972DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SI7972DP-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 30V
Potencia - Max 22W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual

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