SI7224DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
SI7224DN-T1-GE3 P1
SI7224DN-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7224DN-T1-GE3

Número de pieza
SI7224DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SI7224DN-T1-GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SI7224DN-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V
Potencia - Max 17.8W, 23W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual

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