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| Número de pieza | SI5448DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 20V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Single |
| Paquete / caja | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SI5441DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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