SI4618DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
SI4618DY-T1-GE3 P1
SI4618DY-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4618DY-T1-GE3

Número de pieza
SI4618DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SI4618DY-T1-GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SI4618DY-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V
Potencia - Max 1.98W, 4.16W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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