SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
SI4310BDY-T1-E3 P1
SI4310BDY-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4310BDY-T1-E3

Número de pieza
SI4310BDY-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SI4310BDY-T1-E3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SI4310BDY-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.5A, 9.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 15V
Potencia - Max 1.14W, 1.47W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 14-SOIC

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