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| Número de pieza | SI2308DS-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2300-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Detalles |
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 | - | 36000 | Detalles |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | - | 0 | Detalles |
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SI2301A-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Detalles |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 81000 | Detalles |
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 3000 | Detalles |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 84000 | Detalles |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 108000 | Detalles |
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SI2302-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 | - | 15000 | Detalles |
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SI2302A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 469591 | Detalles |
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SI2302ADS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Detalles |