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| Número de pieza | TK11A50D(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK11A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK11A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |