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| Número de pieza | TC58CVG2S0HRAIG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 104MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | 280µs |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-WDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 1 | Detalles | |
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TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 0 | Detalles | |
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TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | - | 11128 | Detalles |
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TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 0 | Detalles | |
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TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 0 | Detalles | |
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TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | 43 | Detalles | |
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TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 14136 | Detalles |
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TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 11128 | Detalles |
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TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 9763 | Detalles |