RN2412TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
RN2412TE85LF P1
RN2412TE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2412TE85LF

Número de pieza
RN2412TE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RN2412TE85LF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza RN2412TE85LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor S-Mini

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