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| Número de pieza | 2SK1119(F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK1058-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P | - | 0 | Detalles |
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2SK1070PICTL-E | Renesas Electronics America | JFET N-CH MPAK | - | 5994 | Detalles |
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2SK1070PIDTL-E | Renesas Electronics America | JFET N-CH MPAK | - | 5989 | Detalles |
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2SK1070PIETL-E | Renesas Electronics America | JFET N-CH MPAK | - | 5989 | Detalles |
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2SK1070PIETR-E | Renesas Electronics America | JFET N-CH MPAK | - | 5985 | Detalles |
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2SK11030QL | Panasonic Electronic Components | JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 | 3000 | Detalles | |
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2SK1119(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB | 0 | Detalles | |
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2SK122800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN | 0 | Detalles | |
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2SK1317-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P | - | 0 | Detalles |
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2SK1339-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P | - | 0 | Detalles |
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2SK1340-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P | - | 0 | Detalles |
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2SK1341-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | - | 0 | Detalles |