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| Número de pieza | TPS1101DG4 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 15V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 260 | Detalles |
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TPS1100DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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TPS1100DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 10000 | Detalles |
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TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | - | 4800 | Detalles |
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TPS1100PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | - | 766 | Detalles |
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TPS1101D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 2845 | Detalles |
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TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 2775 | Detalles |
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TPS1101DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 10000 | Detalles |
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TPS1101DRG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 10000 | Detalles |
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TPS1101PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | - | 0 | Detalles |
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TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | - | 132 | Detalles |
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TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | - | 5325 | Detalles |