TSM2N60ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
TSM2N60ECH C5G P1
TSM2N60ECH C5G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM2N60ECH C5G

Número de pieza
TSM2N60ECH C5G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSM2N60ECH C5G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM2N60ECH C5G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 362pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 52.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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