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| Número de pieza | TSM120N10PQ56 RLG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 58A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3902pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 36W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PDFN (5x6) |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TSM120N06LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252 | - | 252899 | Detalles |
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