S8KC M6G

DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
S8KC M6G P1
S8KC M6G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ S8KC M6G

Número de pieza
S8KC M6G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- S8KC M6G PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza S8KC M6G
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corriente - promedio rectificado (Io) 8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 985mV @ 8A
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F 48pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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