STY100NM60N

MOSFET N CH 600V 98A MAX247
STY100NM60N P1
STY100NM60N P1
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STMicroelectronics ~ STY100NM60N

Número de pieza
STY100NM60N
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza STY100NM60N
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 98A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 50V
Vgs (Max) 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 49A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor MAX247™
Paquete / caja TO-247-3

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