STP18N55M5

MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
STP18N55M5 P1
STP18N55M5 P2
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STMicroelectronics ~ STP18N55M5

Número de pieza
STP18N55M5
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza STP18N55M5
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 192 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3

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