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| Número de pieza | SICRD101200TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SICRD101200TR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | - | 12057 | Detalles |
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SICRD10650CTTR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | - | 17496 | Detalles |
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