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| Número de pieza | RQ6C050BCTCR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
| Paquete / caja | SC-95-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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RQ6C050BCTCR | Rohm Semiconductor | PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Detalles |
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RQ6C050UNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT | - | 15000 | Detalles |
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RQ6C065BCTCR | Rohm Semiconductor | PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF | - | 3000 | Detalles |