R8005ANX

MOSFET N-CH 800V 5A TO220
R8005ANX P1
R8005ANX P1
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Rohm Semiconductor ~ R8005ANX

Número de pieza
R8005ANX
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza R8005ANX
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.08 Ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220FM
Paquete / caja TO-220-2 Full Pack

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