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| Número de pieza | FJ3P02100L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-PMCP |
| Paquete / caja | 3-SMD, Non-Standard |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FJ3P02100L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP | - | 0 | Detalles |