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| Número de pieza | DRA2L14Y0L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 30V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 10k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 47k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.2V @ 330µA, 50mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
| Frecuencia - Transición | - |
| Potencia - Max | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Mini3-G3-B |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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