NGTB05N60R2DT4G

IGBT 5A 600V DPAK
NGTB05N60R2DT4G P1
NGTB05N60R2DT4G P1
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ON Semiconductor ~ NGTB05N60R2DT4G

Número de pieza
NGTB05N60R2DT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IGBT 5A 600V DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NGTB05N60R2DT4G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza NGTB05N60R2DT4G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Corriente - colector pulsado (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Potencia - Max 56W
Conmutación de energía 188µJ (on), 60µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 30nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 44ns/82ns
Condición de prueba 300V, 5A, 30 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 70ns
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK

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