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| Número de pieza | MCH5839-TL-H |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (Máx) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 266 mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 5-MCPH |
| Paquete / caja | 5-SMD, Flat Leads |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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MCH5541-TL-E | ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH | 0 | Detalles | |
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MCH5839-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH5 | - | 0 | Detalles |
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MCH5839-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH | - | 0 | Detalles |
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MCH5908G-TL-E | ON Semiconductor | JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 | - | 0 | Detalles |
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MCH5908H-TL-E | ON Semiconductor | JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 | - | 0 | Detalles |